石墨熱場托桿是單晶硅或多晶硅生長設備（如直拉法Czochralski，簡稱CZ法或區(qū)熔法FZ法）中熱場系統(tǒng)的關鍵部件，其核心用途與石墨材料的特性及熱場環(huán)境需求密切相關。支撐與固定坩堝/籽晶桿坩堝支撐：在直拉法單晶硅生長中，石墨托桿通常位于熱場底部，用于支撐裝載多晶硅原料的石英坩堝。通過精確的機械設計，托桿需承受坩堝及熔硅的重量（可達數(shù)百公斤），同時保持熱場結構的穩(wěn)定性。籽晶桿定位：在區(qū)熔法中，托桿可能用于固定籽晶桿，確保其與多晶硅棒的精確對齊，為單晶生長提供初始晶核。

高效熱傳導與溫度控制均勻熱分布：石墨具有優(yōu)異的導熱性（約150 W/m·K），托桿通過傳導熱量，幫助熱場實現(xiàn)梯度溫度分布，滿足晶體生長對溫度場的嚴格要求（如直拉法中熔硅表面溫度需精確控制在1420°C左右）。隔熱與保溫：托桿結構可能設計為中空或復合層結構，結合石墨氈等隔熱材料，減少熱量向設備外部散失，提升熱場能效。

耐高溫與化學惰性極端環(huán)境耐受：晶體生長需在惰性氣體（如氬氣）保護下，于1500°C以上高溫進行。石墨托桿需承受此高溫而不發(fā)生軟化、變形或分解，確保熱場長期穩(wěn)定運行?？够瘜W腐蝕：石墨對熔硅、硅蒸氣及雜質（如氧、碳）具有化學惰性，避免在高溫下與硅材料反應，防止污染晶體或損壞托桿。